トランジスタの増幅機能２
物体に流れる電流は，物体中のキャリアの電荷密度に比例し，さらにキャリアの移動速度に比例します（詳細はこちら参照）．エミッタ − コレクタ間に流れる電流についても同様です．
図3-3-9 ベース部のキャリア濃度
(1) キャリア濃度（電荷密度）に比例．トランジスタの場合，３極（エミッタ，ベース，コレクタ）のうちベース極の障壁部のキャリア濃度が最も小さくなります（詳細はこちら参照）．そのためエミッタ − コレクタ間電流を考える場合，このベース極部のキャリアに着目します．このキャリア濃度は，VBEによって大きく可変できますので，E-C電流に対して影響が大きいと言えます．
(2) 一方キャリア移動速度は，一般に物体中の電界の大きさに比例．トランジスタの場合，?に記載を踏まえベース障壁部のキャリア速度を考えます．ベース極部の電界（電位勾配）は，ベース部の抵抗率×エミッタ電流に関係するパラメータとなります．一般的には，ベース極（コレクタ，エミッタも同様）の半導体は抵抗率が低く設定されていますので，エミッタ − コレクタ間電流を考える上では影響が小さいと言えます．
上記から，(1)の要素がエミッタ − コレクタ間に流れる電流 ICに与える影響として大きく，ベース極のキャリア濃度の関係がイメージできたと思います．この関係をもうちょっと整理すると，ベース極のキャリア濃度をρ[C/m3]とすると
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式3-3-2 | IB：ベース電流[A] IC：コレクタ電流[A] ρ：キャリア密度[C/m3] |
式3-3-2の IBとキャリア密度の関係は前記（こちらを参照）の通り比例関係にあり，ICに関しても上記の通り比例関係にあります．よってIBと ICの関係も次式のように比例関係になります．
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式3-3-3 | IB：ベース電流[A] IC：コレクタ電流[A] |
ここでコレクタ電流 IC（コレクタ − エミッタ間に流れる電流）とベース電流 IBの関係を比例定数hFEを使って上式を示すと
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式3-3-4 | IB：ベース電流[A] IC：コレクタ電流[A] |
ここで定義している比例定数 hFEをトランジスタの直流電流増幅率といいます．